在半导体行业中，质量流量控制器（MFC）扮演着关键角色，其应用场景广泛、控制的气体类型多且需性能要求高。

薄膜沉积：在化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）过程中，精确控制反应气体（如SiH₄、NH₃）或载气（如Ar、N₂）的流量，以形成均匀的薄膜。

等离子体蚀刻：在干法蚀刻中，调节反应气体（如CF₄、Cl₂、SF₆）和惰性气体（如Ar）的流量，控制蚀刻速率和选择性。

光刻胶处理：在涂胶或显影过程中，控制环境气体（如N₂）的纯度，防止光刻胶受污染或氧化。

腔室清洗：使用腐蚀性气体（如O₂、NF₃）清除反应腔内的残留物，需精确控制气体流量以避免过度腐蚀。

曝光环境控制：在极紫外（EUV）光刻中，维持高纯度氮气环境，减少光吸收和污染。

实际控制的气体及作用

惰性气体（如N₂、Ar）：用于保护反应环境、吹扫杂质或作为等离子体激发载体。

反应气体（如CF₄、Cl₂、O₂）：参与蚀刻或沉积的化学反应，决定工艺效果。

特种气体（如SiH₄、NH₃）：用于生成薄膜材料（如SiO₂、Si₃N₄）。

清洁气体（如NF₃、O₂）：清除腔室内的沉积物，保持工艺稳定性。

高纯度气体（如超纯N₂）：确保曝光环境无污染，提升光刻分辨率。

MFC的关键性能

高精度与重复性：流量控制误差需低于±1%，确保工艺一致性（如薄膜厚度、蚀刻线宽）。

快速响应时间：毫秒级调整能力，适应工艺参数的动态变化。

耐腐蚀性与材料兼容性：采用哈氏合金、316L不锈钢或陶瓷材质，抵抗腐蚀性气体（如Cl₂、F基气体）侵蚀。

温度与压力补偿：内置传感器实时补偿环境变化，确保流量测量准确性。

低泄漏率与高密封性：防止气体泄漏污染环境或影响工艺（如EUV光刻对微量O₂敏感）。

洁净度与表面处理：内壁电抛光或钝化处理，避免颗粒物释放污染超净环境。

多通道与通信集成：支持多气体混合比例控制，并通过数字接口（如RS-485、EtherCAT）与光刻机控制系统交互。

长期稳定性与低漂移：减少校准频率，适应半导体产线连续运行需求。

宽压力适应范围：兼容低压（真空）至高压环境，如PVD/CVD腔室的特殊工况。

​同时还要关注MFC其他的一些性能

多气体协同控制：在复杂工艺中，多个MFC需协同调节不同气体比例（如C₂F₆/O₂混合蚀刻）。

超纯气体处理：针对EUV光刻，需满足SEMI标准的高纯度气体（如N₂纯度≥99.9999%）。

抗电磁干扰（EMI）：在等离子体环境中稳定工作，避免射频干扰导致控制失灵。

维护便捷性：模块化设计便于快速更换或校准，减少设备停机时间。

易度智能质量流量控制器MFC在光刻机中可以精准控制多种气体流量，提高工艺质量和芯片良率。其精度、响应速度、耐腐蚀性及环境适应性的性能得到了半导体行业的客户认可，同时满足半导体制造对洁净度和稳定性的严苛要求。未来，随着光刻技术向更小制程（如3nm以下）发展，易度MFC将成为关键技术突破点，拉动对半导体先进制程工艺设备的提升深度。